詳細摘要： BSC190N15NS3G是一款采用OptiMOS 3技術的N溝道功率MOSFET，其設計旨在提供效率和功率密度。該器件額定電壓為150V，連續(xù)漏極電流達190...
產品型號：BSC320N20NS3G所在地：廈門市更新時間：2025-10-21 在線留言干燥設備 粉碎設備 混合設備 反應設備 過濾分離設備 過濾材料 滅菌設備 萃取設備 貯存設備 傳熱設備 鍋爐 塔設備 結晶設備 其它制藥設備
歐械（廈門）科技研究院（有限合伙）
歐械（廈門）科技研究院（有限合伙）
詳細摘要： BSC190N15NS3G是一款采用OptiMOS 3技術的N溝道功率MOSFET，其設計旨在提供效率和功率密度。該器件額定電壓為150V，連續(xù)漏極電流達190...
產品型號：BSC320N20NS3G所在地：廈門市更新時間：2025-10-21 在線留言
詳細摘要： BSC190N15NS3G是一款采用OptiMOS 3技術的N溝道功率MOSFET，其設計旨在提供效率和功率密度。該器件額定電壓為150V，連續(xù)漏極電流達190...
產品型號：BSC190N15NS3G所在地：廈門市更新時間：2025-10-21 在線留言
詳細摘要： BSC070N10NS5是一款采用OptiMOS 5技術的100V N溝道功率MOSFET。它憑借超結技術，在單芯片上實現(xiàn)了極低的導通電阻（典型值僅0.7mΩ）...
產品型號：BSC070N10NS5所在地：廈門市更新時間：2025-10-20 在線留言
詳細摘要： BSC070N10NS3G是一款N溝道OptiMOS?功率MOSFET，專為高頻高效應用設計。其采用超結技術，具備100V的漏源電壓和僅7.2mΩ的超低導通電阻...
產品型號：BSC070N10NS3G所在地：廈門市更新時間：2025-10-20 在線留言
詳細摘要： BSC057N08NS3G是一款采用OptiMOS 3技術的N溝道功率MOSFET，其設計旨在提供效率和功率密度。該器件具有80V的漏源電壓額定值和57A的持續(xù)...
產品型號：BSC057N08NS3G所在地：廈門市更新時間：2025-10-20 在線留言
詳細摘要： BSC040N10NS5是一款采用OptiMOS 5技術的100V邏輯電平N溝道功率MOSFET。其在10V柵極驅動下，導通電阻低至4.0mΩ，并具備40A的持...
產品型號：BSC040N10NS5所在地：廈門市更新時間：2025-10-20 在線留言
詳細摘要： BSC030N03LSGATMA1是一款OptiMOS? 系列的低壓N溝道功率MOSFET，采用SuperSO8封裝。其核心優(yōu)勢在于極低的導通電阻（典型值僅0....
產品型號：BSC030N08NS5所在地：廈門市更新時間：2025-10-20 在線留言
詳細摘要： BSC030N03LSGATMA1是一款OptiMOS? 系列的低壓N溝道功率MOSFET，采用SuperSO8封裝。其核心優(yōu)勢在于極低的導通電阻（典型值僅0....
產品型號：BSC030N03LSGATMA1所在地：廈門市更新時間：2025-10-20 在線留言
詳細摘要： BSC014N04LS是一款采用OptiMOS?技術的N溝道功率MOSFET，其性能使其成為高效功率轉換應用的理想選擇。該器件額定電壓為40V，持續(xù)漏極電流達1...
產品型號：BSC014N04LS所在地：廈門市更新時間：2025-10-20 在線留言
詳細摘要： BGA 524N6 E6327是一款采用緊湊型SOT363封裝的硅基寬帶放大器晶體管。該器件專為高性能射頻應用而設計，在50MHz至4GHz的寬頻帶范圍內提供電...
產品型號：BGA 725L6 E6327所在地：廈門市更新時間：2025-10-20 在線留言
詳細摘要： BGA 524N6 E6327是一款采用緊湊型SOT363封裝的硅基寬帶放大器晶體管。該器件專為高性能射頻應用而設計，在50MHz至4GHz的寬頻帶范圍內提供電...
產品型號：BGA 524N6 E6327所在地：廈門市更新時間：2025-10-20 在線留言
詳細摘要： BFP650H6327是一款高性能的硅鍺異質結雙極晶體管，專為低噪聲、高增益的微波應用而設計。其工作頻率覆蓋至25 GHz，典型噪聲系數(shù)在10 GHz時低至0....
產品型號：BFP650H6327所在地：廈門市更新時間：2025-10-16 在線留言
詳細摘要： BCR421UE6327是一款集成了電流設定電阻的線性LED驅動器，采用緊湊的SOT-143B封裝。它設計用于提供恒定電流，輸出電流達180mA，并能承受高達4...
產品型號：BCR421UE6327所在地：廈門市更新時間：2025-10-16 在線留言
詳細摘要： BCR402U是一款采用緊湊型SOT-23-6封裝的低壓差線性LED驅動芯片。它設計用于提供高達20mA的恒定電流，以驅動單個LED或作為并聯(lián)LED的恒流源。其...
產品型號：BCR402UE6327所在地：廈門市更新時間：2025-10-16 在線留言
詳細摘要： BCR 401U E6327是英飛凌推出的一款高性能、可調線性恒流源驅動器，專為驅動中低功率LED而優(yōu)化設計。它集成了一個低壓差MOSFET，能夠在寬廣的輸入電...
產品型號：BCR 401U E6327所在地：廈門市更新時間：2025-10-15 在線留言
詳細摘要： 2EDS8265H是一款專為驅動IGBT和MOSFET設計的雙通道增強型隔離柵極驅動芯片。它采用無磁芯變壓器技術，提供高達5kVrms的電氣隔離，確保系統(tǒng)安全可...
產品型號：2EDS8265H所在地：廈門市更新時間：2025-10-15 在線留言
詳細摘要： 2EDN7524F是一款專為高頻應用優(yōu)化的雙通道低邊柵極驅動器芯片。它采用緊湊的DSO-8封裝，并集成了自舉二極管，有效節(jié)省了電路板空間和外部元件成本。該芯片可...
產品型號：2EDN7524F所在地：廈門市更新時間：2025-10-15 在線留言
詳細摘要： 2ED020I12-FI是一款專為驅動中高壓功率MOSFET和IGBT而優(yōu)化的單通道柵極驅動器IC。它具備高達1200V的電氣隔離能力，使其非常適用于工業(yè)電機驅...
產品型號：2ED020I12-FI所在地：廈門市更新時間：2025-10-14 在線留言
詳細摘要： 1EDI60N12AF是一款基于無磁芯變壓器技術的單通道柵極驅動芯片，專為驅動1200V IGBT和MOSFET而設計。它集成了*的6A輸出電流能力，可提供快速...
產品型號：1EDI60N12AF所在地：廈門市更新時間：2025-10-14 在線留言
詳細摘要： 1EDI60I12AF是一款基于無磁芯變壓器技術的單通道IGBT柵極驅動芯片。它具備高達5 kVrms的電氣隔離強度，并能提供±6 A的峰值輸出電流，專為驅動1...
產品型號：1EDI60I12AF所在地：廈門市更新時間：2025-10-11 在線留言您感興趣的產品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
制藥網(wǎng) 設計制作，未經允許翻錄必究 .? ? ?
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
